Институт сильноточной электроники СО РАН

Институт сильноточной электроники СО РАН
публичная страница
118 подписчика
Группа Институт сильноточной электроники СО РАН размещена в разделе Институт. Официальный домен/сайт club219221650.
Блокировка

Нет ограничений

Видимость

открытое

Верификация

Сообщество не верифицировано администрацией ВКонтакте

Популярность

У сообщества нет огня Прометея

ID

219221650

Домен

club219221650

Название

Институт сильноточной электроники СО РАН

Статус

Описание

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сильноточной электроники Сибирского отделения Российской академии наук (ИСЭ СО РАН) Адрес: 635055, г. Томск, проспект Академический, д. 2/3 Директор: Илья Викторович Романченко Сайт: https://www.hcei.tsc.ru Тел.: 8(3822)49-15-44 Факс: 8(3822)49-24-10 Эл. адрес: contact@hcei.tsc.ru Институт сильноточной электроники Сибирского отделения Российской академии наук организован в 1977 г. для проведения фундаментальных и прикладных научных исследований в области сильноточной электроники. Организатор и первый директор института – академик РАН Г.А. Месяц. После него институтом руководили академики РАН С.П. Бугаев, С.Д. Коровин, Н.А. Ратахин. С апреля 2021 г. директором института является д.ф.-м.н. Илья Викторович Романченко, выпускник кафедры физики плазмы физического факультета ТГУ. В институте 15 научных подразделений, включая 3 молодежных лаборатории, две из которых организованы в 2019 г., одна – в 2021 г. В структуру института входит Научно-исследовательский центр «Томский центр компетенций в области пучково-плазменной инженерии и синхротронных исследований». В ИСЭ СО РАН работают 2 академика РАН, 1 член-корреспондент РАН, 37 докторов и 62 кандидата наук. Число работающих без совместителей 363, из них 148 научных сотрудников. Доля исследователей в возрасте до 39 лет составляет 41%. Имеется очная аспирантура по двум направлениям подготовки и четырем специальностям, два диссертационных совета. Институт является базовым для кафедры физики плазмы Национального исследовательского Томского государственного университета. Основные направления научных исследований института – фундаментальные проблемы физической электроники, в том числе сильноточной электроники и разработка на их основе новых приборов, устройств и технологий, а также современные проблемы физики плазмы, включая физику низкотемпературной плазмы и основы ее применения в технологических процессах. Значительные практические перспективы имеют осуществляемые в институте работы по импульсной энергетике, в том числе направленные на осуществление инерциального термоядерного синтеза; разработки источников пучков частиц и излучений для исследований по радиационной стойкости, электромагнитной совместимости, радиолокации, в том числе в интересах оборонной отрасли; разработки физических основ и оборудования для электронно-ионно-плазменных технологий модификации материалов и изделий. Результаты фундаментальных исследований и разработок, выполняемых в ИСЭ СО РАН, в значительной степени определяют мировой уровень исследований в указанных выше предметных областях. Исследования ведутся с использованием обширного парка электрофизических экспериментальных установок, в числе которых уникальные научные установки России ГИТ-12, МИГ, СИНУС-7, THL-100, УНИКУУМ.

Тип

публичная страница

Возрастное ограничение

16+

Тематика

Институт

Стена

ограниченная

Сайт

https://hcei.tsc.ru

Подписчики
118 подписчика

Сайт TOP100VK.COM НЕ собирает и НЕ хранит данные. За достоверность информации сайт ответственность не несет.

Почта для жалоб: jaredgeharrmerlesch@gmail.com (удаляем страницы по первому запросу!)

Удалить содержимое страницы